新华网南京12月10日电（记者朱程）12月9日，由高投毅达研究院主办的“第三代半导体产业发展研讨会”在南京举行。来自政产学等领域的嘉宾齐聚一堂，共同探讨第三代半导体技术的最新研发进展和产业化发展的最新方向。
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被认为是支撑“后摩尔时代”数字经济发展和“双碳”目标下保障能源安全的核心半导体材料，也是世界各国争相布局和加紧攻关的战略高地。
中国电子科技集团第五十五研究所副所长、国家第三代半导体创新中心（南京）主任陈辰表示，材料是半导体产业链的起点。第三代半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高工作温度等优点，在功率、射频、光电显示等应用领域前景广阔，产业链在衬底、外延和器件端均大有可为。
英诺赛科产品开发部副总经理王怀锋认为，氮化镓功率器件满足大功率需求，且体积小能耗低，是解决高频应用主战场未来发展矛盾的绝佳方案，能够有效提升系统功率密度并降低全链路能源消耗，存在巨大的发展机遇。
针对当前全国多地加快布局第三代半导体产业的现状，中国半导体行业协会常务副理事长于燮康表示，长三角集成电路产业优势明显，是全国产业基础最扎实、产业链最完整、技术最先进、产业规模最大的聚集区。未来可以各城市专业化分工协作为导向，强化区域内科研机构、人才等交流合作，充分发挥国内应用市场优势，推动产业健康发展。
江苏高度重视第三代半导体产业发展，2019年—2021年，全国第三代半导体产业70%的投资落在江苏。
江苏高科技投资集团党委书记、董事长王会清表示，近年来，高投集团围绕半导体产业链进行了全面投资布局，覆盖了芯片设计、芯片制造、EDA软件、装备材料、测试服务等全产业链。截至目前，累计投资93个项目，合计45.92亿元，已培育英诺赛科、奕斯伟大硅片等核心企业成为行业独角兽；助推扬杰科技、捷捷微电子、中望股份、铖昌科技等登陆资本市场。“下一步，高投集团将扩大充实高投毅达研究院力量，强化投资研究水平，着力打造实战型研究智库与赋能平台。”王会清说。（完）
