半导体深度报告：存储行业已处周期底部 新需求加速拐点到来

　　存储厂商盈利能力 揭示当前存储行业处于周期底部位置由于库存水位升高，许多厂商通过产品降价刺激库存消耗。根据美光近期盈利状况，CY23Q1 毛利率为-32.66%，近年来首次为负值，CY23Q2 毛利率为-17.8%，环比上升14.86pct。根据三星披露的二季度财报，其DS 部门第二季度营业亏损4.36 万亿韩元，一季度亏损4.58 万亿韩元，多家机构预计三星DS 部门全年营业亏损将超过10 万亿韩元。
　　龙头厂商减产与削减投资，供给端实现边际改善，有望夯实周期底部由于2022 年下游市场需求疲软，美光与SK 海力士计划削减2023 年资本支出40%~50%不等，并对存储芯片进行减产。2023 年6 月，美光宣布将DRAM 和NAND 晶圆开工率进一步减少至近30%；SK 海力士于2023 年7 月宣布扩大减产NAND Flash；三星已在2023 年4 月宣布对存储芯片减产，并在7 月宣布决定延长减产计划。
　　手机市场逐步复苏，AI 服务器带来全新价值增量2023 年，随着手机库存去化逐渐成效，并受益于下一代iPhone 容量规格提高，TrendForce 预测2023 年手机DRAM 平均用量同比增长6.7%，优于2022 年的3.9%，同时2023 年智能手机NAND 搭载容量年成长仍能维持22.1%的高水位。据TrendForce 数据，AI 服务器平均容量可达1.2~1.7TB，预估2023 年AI 服务器出货量近120 万台，年增率近38%。AI 服务器除原有DRAM 外还会用到HBM，因此带来全新价值增量。
　　DRAM 价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3 涨价受益于DRAM 厂商的减产以及季节性需求支撑，存储厂商库存压力得到减轻，TrendForce 预估第三季度DRAM 均价跌幅将收敛至0~5%。
　　从价格走势来看，DRAM 现货价格走势与存储厂商股价呈现一定关联性，两者走势相似。当现货价格跌幅开始收窄时，股价便开始筑底反弹。此外，DRAM/NAND 厂商的价格走势与NOR 厂商方向一致，但幅度会有所差异。根据TrendForce 数据，7 月DRAM 平均固定交易价格环比下跌1.47%，降幅较6 月份的下跌2.86%进一步收窄，并且在现货市场，有部分DRAM 产品已经止跌，连续两个月持平。因此，随着DRAM 现货价格跌幅收窄，预计存储板块也将逐步复苏，迎来投资机会。
　　建议关注
　　兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、聚辰股份等。
　　风险提示
　　下游复苏不及预期风险、存储价格反弹不及预期风险、龙头减产不及预期风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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