集微网消息（文/小北）近日，第三代半导体产业专利分析报告正式发布。
在第三代半导体领域，美国早期领衔全球专利增长，而2010 年前后我国的申请量首次超过美国。截止到2018年9月30 日，第三代半导体产业专利总量约为87510项。其中，碳化硅、氮化镓、其他金属氧化物三种主要材料申请数量较为接近。而碳化硅在功率半导体和器件工艺方面较为热门，氮化镓在外延生长和光电子方面较为突出。
从衬底技术、结构、设备等方面分涉氮化镓器件制备的技术演进如下图。
在氮化物同质衬底技术方面，三菱公司提出改进品质和厚度的GaN单晶制造法和具有低位错密度的氮化镓族晶 体基底部及用途,LG公司则优化快速形成单晶 GaN半导体衬底方法；住友公司利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。涉及蓝宝石衬底技术，索尼 公司改进蓝宝石衬底蚀刻方法。
在氮化镓外延生长方面，基于同质衬底生长，三星公司提出一种以高生长速率 生长高质量氮化镓膜的方法；住友公司提出气相成长的成长表面不是平面状态而形成具有三维的小面结构单晶体GaN的结晶成长方法；住友公司提出一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法；法国国家科学研究中心提出通过在牺牲层上的异质外延制造包含Ⅲ氮化物的自承基材的方法。（校对/小如）
