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北京国联万众半导体科技有限公司总经理安国雨
目前，第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为主，这两种材料的技术已经发展到了相对成熟的阶段。北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）是第三代半导体材料及应用联合创新基地建设和运营单位，正在建设第三代半导体研发创新公共平台，业务包括第三代半导体工艺、封装测试、可靠性检测以及科技服务。
国联万众总经理安国雨在接受新华网专访时表示，“国联万众就是要解决第三代半导体核心芯片自主可控，把关键核心技术掌握在自己手中。只有把关键核心技术掌握在自己手中，才能从根本上保障国家经济安全、国防安全和其他安全。作为国家级众创空间，国联万众很荣幸加入到中国第三代半导体新兴产业发展的平台构建的团队中。”
谈到该第三代半导体发展平台，安国雨告诉记者，“该平台采取开放联合、共享合作的方式，为北京发展第三代半导体提供研发支撑和条件保证；下一步将吸引国内外第三代半导体设计、封装、应用及金融、服务等企业入驻顺义园区，形成集聚效应，培育和打造第三代半导体龙头企业，实现创新驱动发展，为北京发展成为全球第三代半导体新兴产业的战略高地起到引领和带动作用。”
SiC和GaN宽禁带半导体材料为代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和速度高等特性，适于制作抗辐照、耐高温、高频、大功率和高可靠的电子器件，在无线通信、电力电子、航空航天等领域具有广泛的应用前景，是目前国际研究的热点。
安国雨认为，“GaN和SiC功率器件是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑，是电力电子、微波射频器件的’核芯’。”即使SiC和GaN材料发展趋势迅猛，安国雨始终坚信“一代材料一代器件一代装备”，装备的性能由核心器件决定。即使面对国际市场垄断的可能性，国联万众更加坚定走自主研发路线，尽全力打造“中国创造”的品牌。
国联万众拥有一批从事核心材料、芯片、封装等领域的专业人才和团队，拥有核心专利和专有技术，其GaN功放产品已在国内著名通讯公司得到批量应用，产品水平和国际同步，部分产品达到国际领先水平。安国雨表示，“在人才培养上，国联万众坚持‘国家利益高于一切’企业理念，以‘报国、强企、富民 ’的目标，使国家、企业、个人三者利益高度统一，让事业留人、待遇留人、感情留人，让骨干人员有强烈的责任感和荣誉感。”
安国雨表示，现阶段急需能够把技术转化为产品的一流人才，更需要把产品转化为产业的人才。国联万众希望对发展做出贡献的骨干团队给予股权奖励，鼓励员工为企业创造价值，同时自己获得长久收益。也希望国联万众可以积极引进国内外高端人才，和公司原有人才互相补充，通过引进、消化吸收再提高的方式培育高端人才团队。
近年来，北京市科委通过科技新星、领军人才等专项对第三代半导体产业发展所需人才给予科研经费支持。安国雨表示，“在推进第三代半导体产业发展方面，北京市科委做了大量的工作。一是与顺义区政府联合共建第三代半导体材料及应用联合创新基地，目前基地主体工程已建成；二是围绕GaN和SiC第三代半导体材料、器件、应用系统布局，组织科研院所与企业联合攻关，并积极推动SiC电力电子器件在新能源汽车、轨道交通、光伏发电等领域应用，推动GaN射频器件在5G通讯中的应用。”
北京市全国科技创新中心的定位是全球科技创新引领者、高端经济增长极、创新人才首选地、文化创新先行区和生态建设示范城。为支撑首都“国际交往中心和科技创新中心”的建设，进一步发挥北京市国际科技合作基地的引领和示范作用，北京市科委遵循科学严谨的工作原则，严格规范合作基地的审定程序及基地建立后的管理措施，整合资源，创新模式，第三代半导体材料及应用联合创新基地建设取得了明显成效。
在加快全国科创中心建设方面，安国雨给出了建议。第一，发挥北京区位优势，吸引第三代半导体全产业链优势企业入驻第三代半导体联合创新基地，形成产业创新体系和可持续发展的生态环境，从战略高度，全面、深入整合和利用国际资源，联合起来共谋发展，促进我国第三代半导体新兴产业从跟跑到并跑最终实现领跑。第二，加快解决体制机制问题，破解影响科技创新及其成果产业化的制度性障碍。努力择天下英才而用之，着力解决创新成果转化难、创新企业融资难、知识产权保护难等多类问题。第三，加大众创空间支持力度，营造良好的创新创业环境，促进科技中介服务集群化发展，推动科技与金融紧密结合，支持各类研发创新机构发展，建造更多开放便捷的众创空间，强化对科技创新中心建设的法治保障，进一步营造大众创业、万众创新的浓厚氛围。（谷雨/文）
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责任编辑： 陈梦瑶
