中国要形成自主的半导体产业

    “中国的芯片销量占到全球的50%，但年产量才占世界年产量的7%，而且大多还是最末端的加工。”张乃千，世界上最早研究第三代半导体GaN电子器件的人员之一，无论是1997年从清华毕业去美国留学，还是2007年回国创业，再到2011年在苏州建厂，他的目标一直没有改变——推动我国第三代半导体产业化的发展。
    张乃千在清华大学读的微波专业，“当时我发现，相比国外，国内微波的理论研究并不差，但是半导体元器件的匮乏制约了科技的发展——从国外进口实在太贵了，就连清华的导师都买不起用不上。”
    半导体已经经历了两代技术变革，张乃千研究的GaN则被称为第三代半导体，也叫做高能量半导体，这种材料有着比硅更为优秀的物理性能，是建设无线通讯基站和雷达的理想材料。
    1999年，在美留学的张乃千发明了GaN器件表面钝化技术并获得美国专利，解决了多年来GaN器件射频输出功率远低于材料理论计算值的世界性难题。该发明后来成为GaN电子器件制造的标准工艺，极大地推动了GaN的工业化进程。
    博士毕业后，张乃千进入了当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司任产品开发主管，在2003年基本完成了GaN射频HEMT器件工艺从试验室到工业化生产的转移。2004年，他又主持了功率GaAs推动放大器产品的开发，该产品系列被诺基亚、摩托罗拉、朗讯等基站设备商大规模应用于无线通讯基站和点对点通信。2006年底，张乃千在Fultec公司任先进半导体技术经理时，研制出的2千伏功率开关，又一次刷新了GaN器件在该领域的世界记录。
    2007年，张乃千回国创办了中国第一家生产宽禁带半导体电子器件的企业——西安能讯微电子有限公司，致力于GaN功率器件的研究开发及产业化。2011年成立苏州能讯高能半导体有限公司，任董事长兼总裁，投资3.8亿建设了中国第一条规模化GaN射频功率器件生产线，年产能6000片晶圆、或150万只GaN射频功放管，该生产线的建立标志着中国电子半导体工业从第一代到第三代的跨越。“今年年初，我们已经成功进行试生产，争取在明年大批量生产。”张乃千说。