提升性能产量 爱思强获半导体制造奖
信息来源：bandaoti.biz 时间： 2013-03-14 浏览次数：26190
德国MOCVD设备厂爱思强股份有限公司（Aixtron）于3月5日宣布，其最新的硅基氮化镓生长设备ATX G5+反应器荣获2013年化合物半导体制造奖。
爱思强股份有限公司首席技术官安德烈亚斯（Andreas Toennis）表示，爱思强一直保持在硅基氮化镓技术的领先地位，公司对本次奖项的获得也十分高兴，这是化合物半导体行业对爱思强所取得成就的充分认可。
爱思强AIX G5+反应器（图片源自爱思强）
化合物半导体制造奖旨在表彰在有关芯片制造工艺领域从研究到成品器件等关键环节中取得的卓越创新成就，推动行业向前发展的人士、工艺和产品。AIX G5+反应器旨在实现在硅基材上生长氮化镓，并提供可媲美蓝宝石基材生长工艺的性能和产量。
“硅基氮化镓技术势将成为未来电力电子应用的技术选择，且在低成本高亮度LED制造方面拥有广阔的应用前景，”爱思强欧洲副总裁Frank Schulte博士补充说。
据了解，AIX G5+每生产批次可处理五个直径为200mm的晶圆，通过大面积的基材，有效提高氮化镓设备的产量和良率。
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